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會員注冊為了對晶體管工作在三個區域的情況有一個較明確的認識。對于具體的檢測工作，要注意兩點問題：一是最好使用內阻較大的數字萬用表進行測量，以減少測量誤差，同時避免直接測量時因萬用表的內阻小引起三極管工作狀態的改變;二是最好分別測量晶體三極管各極對地的電壓，然后計算出Ube.Ubc或Uce的值，避免誘發電路故障的可能性。
一、晶體管工作的條件
1.集電極電阻Rc:
在共發射極電壓放大器中，為了取出晶體管輸出端的被放大信號電壓Use(動態信號)，需要在集電極串接一只電阻Rc。這樣一來，當集電極電流Ic通過時，在Re上產生一電壓降IcRc，輸出電壓由晶體管c-e之間取出，即Usc=Uce=Ec-IcRc,所以Use也和IcRc —樣隨輸入電壓Ui的發生而相應地變化。
2.集電極電源Ec(或Vcc):
Ec保證晶體管的集電結處于反向偏置，使管子工作在放大狀態，使弱信號變為強信號。能量的來源是靠Ec的維持，而不是晶體管自身。
3.基極電源Eb:
為了使晶體管產生電流放大作用，除了保證集電結處于反向偏置外，還須使發射結處于正向偏置，Eb的作用就是向發射結提供正向偏置電壓，并配合適當的基級電阻Rb，以建立起一定的靜態基極電流Ib。當Vbe很小時，Ib=O，只有當Vbe超過某一值時(硅管約0.5V，鍺管約0.2V，稱為門檻電壓)，管子開始導通，出現Ib。隨后,Ib將隨Vbe增大而增大，但是，Vbe和Ib的關系不是線性關系：當Vbe大于0.7V后，Vbe再增加一點點，Ib就會增加很多。晶體管充分導通的Vbe近似等于一常數(硅管約0.5V，鍺管約 0.5V)。
4.基極偏流電阻Rb:
在電源Eb的大小已經確定的條件下，改變Rb的阻值就可以改變晶體管的靜態電流Ib，從而也改變了集電極靜態電流Ic和管壓降Vce，使放大器建立起合適的直流工作狀態。
二、晶體管工作狀態的判斷
晶體三極管工作在放大區時，其發射結(b、e極之間)為正偏，集電結(b、c極之間)為反偏。對于小功率的NPN型硅，呈現為Vbe≈0.7V，Vbc<0V(具體數值視電源電壓Ec與有關元件的數值而定):對于NPN型鍺管，Vbe≈0.2V，Vbc<0V;對于PNP型的晶體三極管，上述電壓值的符號相反，即小功率PNP型硅管Vbe≈-0.7V,Vbc>0V,對于小功率 PNP型鍺管，Vbe≈-0.2V，Vbc>0V。如果我們在檢測電路中發現晶體三極管極間電壓為上述數值，即可判斷該三極管工作在放大區，由該三極管組成的這部分電路為放大電路。
另外，在由晶體管組成的振蕩電路中，其三極管也是工作在放大區，但由于三極管的輸出經選頻諧振回路并同相反饋到其b、C極之間，使電路起振，那么b、e極之間的電壓Ube，對于硅管來說就小于0.7V 了(一般為0.2V左右)。如果我們檢測出Vbe<0.7V，且用導線短接選頻諧振電路中的電感使電路停振時Vbe0.7V,則可判斷該電路為振蕩電路。
2.工作在截止區的判斷：
三極管工作在截止區時，發射結與集電結均為反偏，而在實際的電路中，發射結也可以是零偏置。這樣對于小功率NPN型三極管，呈現為Vbe≤0，Vbc<0V(具體數值主要決定于電源電壓Ec);對于小功率NPN型三極管，呈現為Vbe≥OV，Vbc≥0V，此時的 Vce≈Ec，如果我們檢測出電路中晶體三極管間電壓為上述情況，則可判斷該三極管工作在截止區。
3.工作在飽和區的判斷：
三極管工作在飽和區時，其發射結與集電結均為正偏。對于小功率NPN型硅管，呈現為Vbe多0.7V(略大于工作在放大區時的數值)，Vbc>0V (不大于Vbe的值);對于小功率NPN型鍺管，類似地有Vbe≥0.2V(略大于工作在放大區時的值)，Vbc>OV (不大于Vbe的值)。對于PNP型的晶體管，上述電壓值的符號相反，即小功率的PNP型硅管，Vbe≥-0.7V，Vb<0V(不小于Vbe的值;小功率PNP型鍺管，Vbe≤-2V，Vbc<0V(不小于Vbe的值)。一般情況下，此時的Vce≈0.3V(硅管)或 Vce≈0.1V(鍺管)，如果我們檢測出電路中的晶體三極管極間電壓符合上述情況，則可判斷該三極管工作在飽和區。
需要指出一點的是：在有些電子電路中，如開關電路、數字電路等，三極管工作在截止區與飽和區之間相互轉換，如附圖所示。當A點為0V時，EB通過R1、R2分壓使基極處于負電壓，發射結反偏;同時集電結也是反偏的，那么三極管T截止;當A點輸入為6V時，R1、R2分壓使三極管發射結正偏，產生足夠大的基極電流使三極管飽和導通，輸出端L約為0.3V，此時集電結也為正偏。我們檢測電路是否正常時，可以分別使A端輸人0V與6V的電壓，并分別測量兩種情況下的三極管極間電壓，看是否符合上述截止與飽和的情況，從而就可以判斷該電路工作是否正常。
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