擴(kuò)散電容C_D

PN結(jié)正向?qū)щ姇r(shí)，多子擴(kuò)散到對(duì)方區(qū)域后，在PN結(jié)邊界上積累，并有一定的濃度分布。積累的電荷量隨外加電壓的變化而變化，當(dāng)PN結(jié)正向電壓加大時(shí)，正向電流隨著加大，這就要求有更多的載流子積累起來以滿足電流加大的要求；而當(dāng)正向電壓減小時(shí)，正向電流減小，積累在P區(qū)的電子或N區(qū)的空穴就要相對(duì)減小，這樣，當(dāng)外加電壓變化時(shí)，有載流子的向PN結(jié)“充入”和“放出”。，PN結(jié)的擴(kuò)散電容C_D描述了積累在P區(qū)的電子或N區(qū)的空穴隨外加電壓的變化的電容效應(yīng)。

C_D是非線性電容，PN結(jié)正偏時(shí)，C_D較大，反偏時(shí)載流子數(shù)目很少，因此反偏時(shí)擴(kuò)散電容數(shù)值很小。一般可以忽略。