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晶體三極管的置換原則
晶體三極管的置換原則可概括為三條：即類型相同、特性相近、外形相似。
一、類型相同
１． 材料相同。即鍺管置換鍺管，硅管置換硅管。
２． 極性相同。即ＮＰＮ型管置換ＮＰＮ型管，ＰＮＰ型管置換ＰＮＰ型管。
二、特性相近
用于置換的晶體三極管應與原晶體三極管的特性相近，它們的主要參數值及特性曲線應相差不多。晶體三極管的主要參數近２０個，要求所有這些參數都相近，不但困難，而且沒有必要。一般來說，只要下述主要參數相近，即可滿足置換要求。
１． 集電極最大直流耗散功率（ＰCM）
一般要求用ＰCM 與原管相等或較大的晶體三極管進行置換。但經過計算或測試，如果原晶體三極管在整機電路中實際直流耗散功率遠小于其ＰCM，則可以用ＰCM 較小的晶體三極管置換。
２． 集電極最大允許直流電流（ＩCM）
一般要求用ＩCM 與原管相等或較大的晶體三極管進行置換。
世界上不同廠家關于ＩCM 的規定有所不同，有時差別很大。常見的有以下幾種規定：
（１）根據集電極引線允許通過的最大電流值確定ＩCM。這個數值可能很大，例如，一只ＰCM＝２００ｍＷ的晶體三極管，其ＩCM 可能會超過１Ａ。
（２）根據ＰCM 確定ＩCM，即ＰCM＝ＩCM?ＵCE 確定ＩCM。這個規定下的ＰCM 值比普通晶體三極管較小，比開關管較大，例如ＰCM 都是１０Ｗ的普通晶體三極管２ＳＣ２２０９和開關管２ＳＣ２２１４，其ＩCM 值卻分別為１．５Ａ和４Ａ。
（３）根據晶體三極管參數（飽和壓降、電流放大系數等）允許變化的極限值確定ＩCM。例如３ＤＤ１０３Ａ晶體三極管的ＩCM 是按其Β值下降到實測值的１／３時確定的（ＩCM＝３Ａ）。
在置換時應區別以上三種情況，進行具體的選擇。
３． 擊穿電壓
用于置換的晶體三極管，必須能夠在整機中安全地承受最高工作電壓。晶體三極管的擊穿電壓參數主要有以下５個：
（１）ＢＶCBO：集電極—基極擊穿電壓。它是指發射極開路，集電極電流ＩＣ為規定值時，集電極—基極間的電壓降（該電壓降稱為對應的擊穿電壓，以下的相同）。
（２）ＢＶCEO：集電極—發射極擊穿電壓。它是指基極開路，集電極電流ＩＣ為規定值時，集電極—發射極的電壓降。
（３）ＢＶCES：基極—發射極短路，集電極—發射極的擊穿電壓。
（４）ＢＶCER：基極—發射極串聯電阻，集電極—發射極的電壓降。
（５）ＢＶEBO：集電極開路，發射極—基極的擊穿電壓。
在晶體三極管置換中，主要考慮ＢＶCBO 和ＢＶCEO，對于開關晶體三極管還應考慮ＢＶEBO。一般來說，同一晶體三極管的ＢＶCBO＞ＢＶCEO。通常要求用于置換的晶體三極管，其上述三個擊穿電壓應不小于原晶體三極管對應的三個擊穿電壓。
４． 頻率特性
晶體三極管頻率特性參數，常用的有以下４個：
（１）特征頻率Ｆｔ：它是指在測試頻率足夠高時，使晶體三極管共發射極電流放大系數Β＝１時的頻率。
（２）Β截止頻率Ｆβ：在共發射極電路中，輸出端交流短路時，電流放大系數Β值，下降到低頻（１ｋＨｚ）Β值７０．７％（３ｄＢ）時的頻率。
（３）Α截止頻率Ｆα：在共基極電路中，輸出端交流短路時，電流放大系數Α值下降到低頻（１ｋＨｚ）Β值７０．７％（３ｄＢ）時的頻率。
（４）最高振蕩頻率Ｆｍａｘ：當晶體三極管的功率增益為１時的工作頻率。
在置換晶體三極管時，主要考慮ＦT 與Ｆβ。通常要求用于置換的晶體三極管，其ＦT 與Ｆβ應不小于原晶體三極管對應的ＦT 與Ｆβ。
５． 其他參數
除以上主要參數外，對于一些特殊的晶體三極管，在置換時還應考慮以下參數：
（１）對于低噪聲晶體三極管，在置換時應當用噪聲系數較小或相等的晶體三極管。
（２）對于具有自動增益控制性能的晶體三極管，在置換時應當用自動增益控制特性相同的晶體三極管。
（３）對于開關管，在置換時還要考慮其開關參數。
三、外形相似
小功率晶體三極管一般外形均相似，只要各個電極引出線標志明確，且引出線排列順序與待換管一致，即可進行更換。
大功率晶體三極管的外形差異較大，置換時應選擇外形相似、安裝尺寸相同的晶體三極管，以便安裝和保持正常的散熱條件。
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